Висока швидкість DV/DT 600 В BTB16-600B 16A TRIAC

Висока швидкість DV/DT 600 В BTB16-600B 16A TRIAC

Name: TRIAC BTB16-600B TO220
Uploaded: 2024-12-09T06:08:17+08:00
Description: TRIAC BTB16-600B TO220

$0.155000-9999 Piece/Pieces

$0.13≥10000Piece/Pieces

Тип оплати:	L/C,T/T,Paypal
Інкотерм:	FOB,CFR,CIF
Перевезення:	Ocean,Land,Others
Порт:	SHANGHAI

Option:

IT(RMS):16A
VDRM:600V
VRRM:600V
VTM:≤ 1.5v
Tstg:-40~150℃
Tj:-40~125℃
ITSM:160A
I2t:128A2s

Зв'язатися з нами

Опис продукту

Атрибути товару

Модель №.: YZPST-BTB16-600B

Бренд: Yzpst

Place Of Origin: China

IT(RMS): 16A

VDRM: 600V

VRRM: 600V

VTM: ≤ 1.5v

Tstg: -40~150℃

Tj: -40~125℃

ITSM: 160A

I2t: 128A2s

DI/dt: 50A/μs

Упаковка та доставка

Одиниці продажу	:	Piece/Pieces
Тип упаковки	:	1. Антиелектростатична упаковка 2. Коробка коробки 3. Коси
Завантажити	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

TRIAC BTB16-600B TO220



Опис продукту

YZPST-BTB16-600B 600V BTB16-600B 16A TRIAC

BTA 1 6/ BTB 16 (BT 13 9) Серія 16 ATRIACS

Опис :

З високою здатністю протистояти ударному навантаженню великого струму, триакс серії BTA16/BTB16 забезпечує високу швидкість DV/DT з сильною стійкістю до електромагнітного інтерфейсу.

Завдяки високій комутаційній виставці 3 квадранти -продуктів, особливо рекомендованих для використання при індуктивному навантаженні. Від усіх трьох терміналів до зовнішнього теплового скла, BTA16 забезпечує номінальну напругу ізоляції 2500 VRMS, що відповідає стандартам UL

YZPST-BTB16-600B-1

Основні особливості :

symbol	value	unit
IT(RMS)	16	A
VDRM/VRRM	600/800/ 1200	V
VTM	≤ 1.5	V

Абсолютні максимальні рейтинги :

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40~150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40~125	℃
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25C)	VDRM	600/800/ 1200	V
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25C)	VRRM	600/800/ 1200	V
RMS on-state current	IT(RMS)	16	A
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)	ITSM	160	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	128	A2s
Critical rate of rise of on-state current(IG=2× IGT)	dI/dt	50	A/μs
Peak gate current	IGM	4	A
Average gate power dissipation	PG(AV)	1	W
Peak gate power	PGM	5	W

Електричні характеристики (TJ = 25C, якщо не вказано інше)

3 квадранти :

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		TW	SW	CW	BW	Unit
IGT	VD=12V,			5	10	35	50	A
VGT	RL=33Ω	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MAX	1.3				V
VGD	VD=VDRM	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MIN	0 2				V
IH	IT=100mA		MAX	15	25	40	60	A
		Ⅰ-Ⅲ		20	30	50	70	m
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	25	40	60	90	A
	VD=2/3VDRM Tj=125C Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125C Gate open		MIN	100	200	500	1000	V/µs

4 квадранти :

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		C	B	Unit
		Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ		25	50	A
IGT	VD=12V,	Ⅳ		50	70	A
VGT	RL=33Ω	ALL	MAX	1.5		V
VGD	VD=VDRM	ALL	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	40	60	A
		Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ		50	70	m
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	70	90	A
	VD=2/3VDRM Tj=125C Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125C Gate open		MIN	200	500	V/µs