Висока швидкість DV/DT 800 В BTA24-800BW 25A TRIAC

Висока швидкість DV/DT 800 В BTA24-800BW 25A TRIAC

$0.242000-19999 Piece/Pieces

$0.19≥20000Piece/Pieces

Тип оплати:	L/C,T/T,Paypal
Інкотерм:	FOB,CFR,CIF
Перевезення:	Ocean,Land,Others
Порт:	SHANGHAI

Option:

IT(RMS):25A
VDRM/:800V
VRRM:800V
VTM:≤1.5A
Tstg:-40~150℃
Tj:-40~125℃
ITSM:250A

Зв'язатися з нами

Опис продукту

Атрибути товару

Модель №.: YZPST-BTA24-800BW

Бренд: Yzpst

Place Of Origin: China

IT(RMS): 25A

VDRM/: 800V

VRRM: 800V

VTM: ≤1.5A

Tstg: -40~150℃

Tj: -40~125℃

ITSM: 250A

I2t: 340A2s

DI/dt: 50A/ μs

Упаковка та доставка

Одиниці продажу	:	Piece/Pieces
Тип упаковки	:	1. Антиелектростатична упаковка 2. Коробка коробки 3. Коси
Завантажити	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

TRIAC BTA24 800BW TO220



Опис продукту

BTA24/BTB24 серії 25A TRIACS

Висока швидкість DV/DT 800 В BTA24-800BW 25A TRIAC

YZPST-BTA24-800BW

Опис:
З високою здатністю протистояти ударному навантаженню великого струму, триакс серії BTA24/BTB24 забезпечує високу швидкість DV/DT з сильною стійкістю до електромагнітного інтерфейсу.

Завдяки високій комутаційній виставці 3 продуктів квадрантів, особливо рекомендованих для використання при індуктивному навантаженні. Від усіх трьох терміналів до зовнішнього теплового скла, BTA24 забезпечує номінальну напругу ізоляції 2500 VRMS, що відповідає стандартам UL

YZPST-BTA24-800BW

Головний Особливості:

symbol	value	unit
IT(RMS)	25	A
VDRM/VRRM	600/800/1200/1600	V
VTM	≤1.5	V

Абсолютний Максимум Рейтинги:

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40~150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40~125	℃
Repetitive peak off-state voltage (Tj=25℃)	VDRM	600/800/1200/1600	V
Repetitive peak reverse voltage (Tj=25℃)	VRRM	600/800/1200/1600	V
RMS on-state current	IT(RMS)	25	A
Non repetitive surge peak on-state current (full cycle, F=50Hz)	ITSM	250	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	340	A2s
Critical rate of rise of on-state current(IG=2 × IGT)	dI/dt	50	A/ μs

Peak gate current	IGM	4	A
Average gate power dissipation	PG(AV)	1	W
Peak gate power	PGM	10	W

Електричні характеристики (TJ = 25 ℃ , якщо не вказано інше)

3 квадранти :

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		CW	BW	Unit
IGT	VD=12V,			35	50	mA
VGT	RL=33Ω	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MAX	1.3		V
VGD	VD=VDRM	Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	60	80	mA
		Ⅰ-Ⅲ		70	90
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	80	100	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	1000	1500	V/ µs

4 квадранти :

Parameter				Value
Parameter	Test Condition	Quadrant		C	B	Unit
		Ⅰ- Ⅱ-Ⅲ		25	50	mA
IGT	VD=12V,	Ⅳ		50	70	mA
VGT	RL=33Ω	ALL	MAX	1.5		V
VGD	VD=VDRM	ALL	MIN	0.2		V
IH	IT=100mA		MAX	60	75	mA
		Ⅰ-Ⅲ- Ⅳ		70	80
IL	IG=1.2IGT	Ⅱ	MAX	90	100	mA
	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate open		MIN	200	500	V/ µs