Будинок> Продукти> Напівпровідникові дискові пристрої (тип капсули)> Інверторний тиристор> Висока спроможність DV/DT 6500 В тиристор високої потужності
Висока спроможність DV/DT 6500 В тиристор високої потужності
Висока спроможність DV/DT 6500 В тиристор високої потужності
Висока спроможність DV/DT 6500 В тиристор високої потужності
Висока спроможність DV/DT 6500 В тиристор високої потужності
Висока спроможність DV/DT 6500 В тиристор високої потужності

Висока спроможність DV/DT 6500 В тиристор високої потужності

$1501-99 Piece/Pieces

$95≥100Piece/Pieces

Тип оплати:L/C,T/T,Paypal
Інкотерм:FOB,CFR,CIF
Хв. Замовлення:1 Piece/Pieces
Перевезення:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибути товару

Модель №.YZPST-KP894A-6500V

БрендYzpst

Упаковка та доставка
Одиниці продажу : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиелектростатична упаковка 2. Коробка коробки 3. Пластикова захисна упаковка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Опис продукту


Тиристор високої потужності для фазових програм

YZPST-KP894A-6500V

ОСОБЛИВОСТІ
ОПИСУВАННЯ

:

. Вся розсіяна структура

. Міжситизована конфігурація ампліфікації воріт

V. Гарантований максимальний час відключення

. Висока здатність DV/DT

.

Електричні характеристики

пристрою, зібраних тиском,

та рейтинги,

що блокують - вимкнено стан

VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

6500

6500

6600

V rrm = повторювана пікова зворотна напруга

v drm = повторювана пікова пікова напруга

v rsm = не повторювана пікова зворотна напруга (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Примітки:

Усі рейтинги вказані для TJ = 25 o C, якщо не вказано інше.

(1) Усі рейтинги напруги визначені для застосованої

синусоїдальної форми хвилі 50 Гц/60 ЗГц у

діапазоні температури від -40 до +125 O C.

(2) 10 мсек. Макс. Ширина імпульсу

(3) Максимальне значення для TJ = 125 o C.

(4) Мінімальне значення для лінійного та експоненціального хвилі до 80% номіналу V DRM . Ворота відкриті. TJ = 125 o C.

(5) Невідповідне значення.

(6) Значення DI/DT встановлюється відповідно З стандартний RS-397 NIMA, розділ 5-2-2-6. Визначене значення було б додатково, отриманим з ланцюга UBBER, що включає конденсатор 0,2 М F та 20 Омсорсизенту паралельно з тестуванням тестування.

Примітки:

Усі рейтинги вказані для TJ = 25 o C, якщо не вказано інше.

(1) Усі рейтинги напруги визначені для застосованої

синусоїдальної форми хвилі 50 Гц/60 ЗГц у

діапазоні температури від -40 до +125 O C.

(2) 10 мсек. Макс. Ширина імпульсу

(3) Максимальне значення для TJ = 125 o C.

(4) Мінімальне значення для лінійного та експоненціального хвилі до 80% номіналу V DRM . Ворота відкриті. TJ = 125 o C.

(5) Невідповідне значення.

(6) Значення DI/DT встановлюється відповідно З стандартний RS-397 NIMA, розділ 5-2-2-6. Визначене значення було б додатково, отриманим з ланцюга UBBER, що включає конденсатор 0,2 М F та 20 Омсорсизенту паралельно з тестуванням тестування.

Проведення - на державі

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

 

894

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=60oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

 

1404

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

   

12

 

kA

 

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

0.72x106

 

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

 

3000

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

300

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.4

 

V

ITM = 1000 A ,Tj = 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

-

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

YZPST-KP894A-6500V-1

Sym

A

B

C

D

H

mm

75

47

66

3.5×3

26±1


Гарячі продукти
Будинок> Продукти> Напівпровідникові дискові пристрої (тип капсули)> Інверторний тиристор> Висока спроможність DV/DT 6500 В тиристор високої потужності
苏ICP备05018286号-1
Надіслати запит
*
*

Ми зв’яжемось з вами негайно

Заповніть додаткову інформацію, щоб швидше зв’язатися з вами швидше

Заява про конфіденційність: Ваша конфіденційність для нас дуже важлива. Наша компанія обіцяє не розголошувати свою особисту інформацію будь -якій перевищенні, не вистачаючи ваших явних дозволів.

Відправити