Будинок> Продукти> Напівпровідникові дискові пристрої (тип капсули)> Фазовий контроль тиристор> Янчжоу живлення тиристорів зварювальна машина
Янчжоу живлення тиристорів зварювальна машина
Янчжоу живлення тиристорів зварювальна машина
Янчжоу живлення тиристорів зварювальна машина
Янчжоу живлення тиристорів зварювальна машина
Янчжоу живлення тиристорів зварювальна машина

Янчжоу живлення тиристорів зварювальна машина

Get Latest Price
Тип оплати:L/C,T/T,Paypal
Інкотерм:FOB,CFR,CIF
Перевезення:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибути товару

Модель №.YZPST-R355SH12FLO

БрендYzpst

Опис продукту





ТИРІСТОР ПОСТУП

YZPST-R355SH12FLO

Тиристор високої потужності для фазових програм

Особливості : . Гарантований максимальний час відключення . Міжсигітана конфігурація ампліфікації воріт . Вся розсіяна структура . Висока здатність DV/DT . Зібраний тиск пристрій


Електричні характеристики та рейтинги



Блокування - поза державою


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

Vrrm = повторювана пікова зворотна напруга

Vdrm = повторювана пікова напруга

Vrsm = не повторювана пікова зворотна напруга (2)


Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

150mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec

Примітки:

Усі рейтинги вказані для TJ = 25 OC, якщо не вказано інше.

(1) Усі рейтинги напруги визначені для застосованої синусоїдальної форми хвилі 50 Гц/60ZHZ у діапазоні температури від -40 до +125 OC.

(2) 10 мсек. Макс. пульсна ширина

(3) Максимальне значення для TJ = 125 OC.

(4) Мінімальне значення для лінійного та експоненціального хвилі до 80% vdrm. Ворота відкриті. TJ = 125 oc.

(5) Невідповідне значення.

(6) Значення DI/DT встановлюється відповідно до стандарту EIA/NIMA RS-397, розділ 5-2-2-6. Визначене значення було б додатково, отриманим із ланцюга UBBER, що складається з конденсатора 0,2 F та 20 Омхурсистенції паралельно з тестуванням тестування.


Проведення - на державі

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

1271

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

2599

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

18.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

1.62x106

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.02

V

ITM = 2000 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Обтягуючий

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Динамічний

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

-

15

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=80%VDRM, dVdr/dt=20V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

Теплові та механічні характеристики та рейтинги

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

24

48

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

19

25

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Монтажні поверхні гладкі, плоскі та змащені

Примітка






Детальні зображення



Thyristor Fast High-Power Switch


Гарячі продукти
苏ICP备05018286号-1
Надіслати запит
*
*

Ми зв’яжемось з вами негайно

Заповніть додаткову інформацію, щоб швидше зв’язатися з вами швидше

Заява про конфіденційність: Ваша конфіденційність для нас дуже важлива. Наша компанія обіцяє не розголошувати свою особисту інформацію будь -якій перевищенні, не вистачаючи ваших явних дозволів.

Відправити