Будинок> Продукти> Напівпровідникові дискові пристрої (тип капсули)> Фазовий контроль тиристор> Високочастотна тиристор експортується у по всьому світу
Високочастотна тиристор експортується у по всьому світу
Високочастотна тиристор експортується у по всьому світу
Високочастотна тиристор експортується у по всьому світу
Високочастотна тиристор експортується у по всьому світу
Високочастотна тиристор експортується у по всьому світу

Високочастотна тиристор експортується у по всьому світу

Get Latest Price
Тип оплати:L/C,T/T,Paypal
Інкотерм:FOB,CFR,CIF
Перевезення:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибути товару

Модель №.YZPST-R0929LC12A

БрендYzpst

Опис продукту


Економічний та ефективний високочастотний тиристор, експортований до світу

YZPST-R0929LC12A


Тиристор високої потужності для фазових програм


Особливості тиристора 1200 В - це міжгранна конфігурація ампліфікованих воріт . Вся розсіяна структура, гарантований максимальний час відключення . Зібраний тиск пристрій

і висока здатність DV/DT.


Електричні характеристики та рейтинги


Блокування - поза державою


VRRM (1)

VDRM (1)

VRSM (1)

1200

1200

1300

V rrm = повторювана пікова зворотна напруга

V drm = повторювана пікова напруга

V rsm = не повторювана пікова зворотна напруга (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

15 mA

70 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

200 V/msec



Примітки:

Усі рейтинги вказані для TJ = 25 OC, якщо не вказано інше.

(1) Усі рейтинги напруги визначені для застосованої синусоїдальної форми хвилі 50 Гц/60ZHZ у діапазоні температури від -40 до +125 OC.

(2) 10 мсек. Макс. пульсна ширина

(3) Максимальне значення для TJ = 125 OC.

(4) Мінімальне значення для лінійного та експоненціального хвилі до 80% vdrm. Ворота відкриті. TJ = 125 oc.

(5) Невідповідне значення.

(6) Значення DI/DT встановлюється відповідно до стандарту EIA/NIMA RS-397, розділ 5-2-2-6. Визначене значення було б додатково, отриманим із ланцюга UBBER, що складається з конденсатора 0,2 F та 20 Омхурсистенції паралельно з тестуванням тестування.


Проведення - на державі

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)M

929

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

IT(RMS)m

1893

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

ITSM

-

  

9.0

kA

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

405x103

A2s

8.3 msec

Latching current

IL

-

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

1000

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

2.04

V

ITM = 1400 A

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

1500

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

1000

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Обтягуючий

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

30

W

Average gate power dissipation

PG(AV)

2

W

Peak gate current

IGM

-

A

Gate current required to trigger all units

IGT

300

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Gate voltage required to trigger all units

VGT

3.0

V

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

Peak negative voltage

VRGM

5

V

Динамічний

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

tgd

1.0

-

ms

VD=67% VDRM, IT=2000A, di/dt=60A/us, IFG=2A, tr=0.5us, Tj=25C

Turn-on time

tgt

2.0

-

Turn-off time (with VR = -5 V)

tq

-

10

-

ms

ITM=1000A, tp=1000us, di/dt=60A/us, Vr=50V, Vdr=33%VDRM, dVdr/dt=200V/us

Reverse recovery current

Irm

-

A

ITM=4000A, tp=2000us, di/dt=60A/us

Теплові та механічні характеристики та рейтинги

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

oC

Storage temperature

Tstg

-40

+150

oC

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

-

-

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to sink

RQ (c-s)

-

-

K/kW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-s)

32

64

K/kW

Double sided cooled

Single sided cooled

Mounting force

F

10

20

-

kN

Weight

W

-

Kg

about

* Монтажні поверхні гладкі, плоскі та змащені

Примітка



Детальні зображення


YZPST-R0929LC12A HIGH POWER THYRISTOR

Гарячі продукти
Будинок> Продукти> Напівпровідникові дискові пристрої (тип капсули)> Фазовий контроль тиристор> Високочастотна тиристор експортується у по всьому світу
苏ICP备05018286号-1
Надіслати запит
*
*

Ми зв’яжемось з вами негайно

Заповніть додаткову інформацію, щоб швидше зв’язатися з вами швидше

Заява про конфіденційність: Ваша конфіденційність для нас дуже важлива. Наша компанія обіцяє не розголошувати свою особисту інформацію будь -якій перевищенні, не вистачаючи ваших явних дозволів.

Відправити