6500 В тиристор високої потужності для програмного управління фазами

VRRM ( 1)

V DRM ( 1)

VRSM ( 1)

6500

6500

6600

Repetitive peak reverse leakage and off state

IRRM / IDRM

40 mA

200mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/μsec

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

50

W

tp = 40 us

Average gate power

dissipation

PG(AV)

10

W

Peak gate current

IGM

10

A

Gate current required to

trigger all units

IGT

400

mA

mA

mA

VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = -40 oC   VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = +25 oC  VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = +125oC

Gate voltage required to

trigger all units

VGT

-

2.6

-

V

V

V

VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = -40 oC    VD = 6 V;RL  = 3 ohms;Tj  = 0- 125oC VD = Rated VDRM; RL  = 1000 ohms; Tj  = + 125 oC

Peak negative voltage

VGRM

10

V

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

-

μs

ITM = 1000 A; VD  = Rated VDRM   Gate pulse: VG  = 20 V; RG  = 20 ohms; tr  = 0. 1 μs; tp  = 20 μs

Turn-off time (with VR  = -50 V)

tq

700

μs

ITM = 1000 A; di/dt = 1A/μs;

VR > 200 V; Re-applied dV/dt = 20 V/μs linear to 67% VDRM; VG  = 0;    Tj = 125 oC; Duty cpstcle > 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

-

μAs

ITM = 2000 A; di/dt = 1.5 A/μs; VR > 200V