Ціна транзистора SCR транзистор з великою ціною

Ціна транзистора SCR транзистор з великою ціною

Get Latest Price

Тип оплати:	L/C,T/T,Paypal
Інкотерм:	FOB,CFR,CIF
Перевезення:	Ocean,Air
Порт:	Shanghai

Зв'язатися з нами

Опис продукту

Атрибути товару

Упаковка та доставка

Опис продукту

Атрибути товару

Модель №.: YZPST-1690-TO-247S

Бренд: Yzpst

Упаковка та доставка

Тип упаковки

1. Антиелектростатична упаковка 2. Коробка коробки 3. Пластикова захисна упаковка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Опис продукту

PST1690 SERY 90A SCRS

YZPST-1690 до 247

D e scri p ti o n:

PS T1 6 9 0 s e r i e s o f si l ікона c o n тролінг rep i f iers, w ith h i g h ab i l ity T o wit h st an d Т ч е s h o ck l o a d i n g o f lar g e c u r r en t, p ro v ide h i g h d v / d t оцінювати з s t r на g протистояти до e lec t r o m a g ne tic i n t e r f e re n c e . Th e y a re e s p e rec o mm en d e d f o r використання o n s o l i d st a te rela y , mo t o rc y cle, po w e r c ha r g e r , T - t oo ls e tc

Ціна транзистора SCR транзистор з великою ціною

A b s o l u te Ma x i mu m R a tings

Parameter	Symbol	Value	Unit
Storage junction temperature range	Tstg	-40-150	℃
Operating junction temperature range	Tj	-40-125	℃
Repetitive peak off-state voltage	VDRM	1600	V
Repetitive peak reverse voltage	VRRM	1600	V
Average on-state current (TC=80℃)	IT(AV)	56	A
RMS on-state current(TC=80℃)	IT(RMS)	90	A
Non repetitive surge peak on-state current (tp=10ms)	ITSM	1250	A
I2t value for fusing (tp=10ms)	I2t	7800	A2s
Critical rate of rise of on-state current (IG=2×IGT)	dI/dt	150	A/μs
Peak gate current	IGM	10	A
Peak gate power	PGM	20	W
Average gate power dissipation(Tj=125℃)	PG(AV)	2	W

E l e c trical Ch a r a cteri s tics ( T J = 25 ℃ u n менше o t h e r w ise s pe ci f i e d )

Symbol	Test Condition	Value			Unit
Symbol	Test Condition	MIN.	TYP.	MAX.	Unit
IGT	VD=12V RL=30Ω	10	-	80	mA
VGT	VD=12V RL=30Ω	-	-	1.5	V
VGD	VD=VDRM Tj=125℃	0.25	-	-	V
IL	IG=1.2 IGT	-	-	200	mA
IH	IT=1A	-	-	150	mA
dV/dt	VD=2/3VDRM Tj=125℃ Gate Open	1000	-	-	V/μs