Гарячі продані модулі з одномісними тиристорами 1200 В

V_DRM/V_RRM

1200/1200

V

V_RSM

1300

V

Symbol

Condition

Ratings

Unit

I_T(AV)

sin. 180; T_c =85°C,

250

A

I_TSM

T_vj =25°C; 10 ms

9500

A

I²t

T_vj =25°C;  8,3…10 ms

450

kA²S

(di/dt)_cr

130

A/us

V_iso

A.C. 1s / 1min.

V

T_j

-40  ~  + 125

°C

T_stg

-40  ~  + 125

°C

W

-

g

Symbol

Condition

Ratings

Unit

I_DRM /I_RRM

AtV_DRM, T_j=125°C

85

mA

V_T

On-State Current 750A, T_j=25°C

1.43

V

V_T(TO)

T_j=125°C

0.81

V

t_gd

T_j=25°C

1

us

t_q

T_j=125°C

150

us

I_GT/V_GT

T_j=25°C

145 / 2

mA/V

V_GD

T_j=125°C

0.25

V

(dv/dt)_cr

T_j=125°C

1000

V/us

I_H

T_j=25°C, typ. / max.

140/450

mA

I_L

T_j=25°C, typ. / max.

200/1800

mA

R_th(j-c)

Per Module

0.0455

K/W