Будинок> Продукти> Напівпровідникові пристрої модуля> Модуль тиристора> 1000A Anti-Parallel SCR MODULE-ASSBLEY-KPX1000A-1600V
1000A Anti-Parallel SCR MODULE-ASSBLEY-KPX1000A-1600V
1000A Anti-Parallel SCR MODULE-ASSBLEY-KPX1000A-1600V
1000A Anti-Parallel SCR MODULE-ASSBLEY-KPX1000A-1600V
1000A Anti-Parallel SCR MODULE-ASSBLEY-KPX1000A-1600V
1000A Anti-Parallel SCR MODULE-ASSBLEY-KPX1000A-1600V

1000A Anti-Parallel SCR MODULE-ASSBLEY-KPX1000A-1600V

$2951-19 Piece/Pieces

$262≥20Piece/Pieces

Тип оплати:L/C,T/T,Paypal
Інкотерм:FOB,CFR,CIF
Перевезення:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибути товару

Модель №.YZPST-KPX1000A-1600V

БрендYzpst

Place Of OriginChina

VRRM1600V

VDRM1600V

VRSM1700V

DV/dt1000 V/sec

IT(AV)1000A

ITRMSM1570A

Упаковка та доставка
Одиниці продажу : Piece/Pieces
Завантажити :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Антипаралельний складок SCR модуля
Опис продукту

Анти-паралельна складка модуля SCR-KPX1000A-1600V


Особливості:

Весь розсіяний дизайн

Високі можливості струму

можливості високого перенапруження

Високі напруги

високий d v /dt

Динамічні ворота низького струму

Низький тепловий опір

компактний розмір і невелика вага

Застосування

Високі електроприводу

Управління двигуном постійного струму

Джерела живлення високої напруги


Блокування - поза державою

VRRM (1) VDRM (1) VRSM (1)
1600 1600 1700


Vrrm = повторювана пікова зворотна напруга

Vdrm = повторювана пікова напруга

Vrsm = не повторювана пікова зворотна напруга (2)

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

10 mA

100 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec


Проведення - на державі

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Max. average value of on-state current

IT(AV)

 

1000

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=95oC

RConducting - on state

MS value of on-state current

ITRMSM

 

1570

 

A

Nominal value

Peak one cPSTCle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

   

30

 

kA

 

kA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

4500x103

 

A2s

10 msec

Treshold voltage

VT(T0)

 

0.928

 

V

 

Slope resistance

rT

 

0.189

 

 

Latching current

IL

 

2000

 

mA

VD = 12 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

500

 

mA

VD = 12 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

1.75

 

V

ITM =3000 A(MAX); Tj =1 25 oC

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

200

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

-

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V

Обтягуючий

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

4

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

300

 

mA

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

3

 

V

 

VD = 10 V;IT=3A;Tj = +25 oC

 

Peak negative voltage

VRGM

 

5

 

V

1000A ANTI-PARALLEL SCR module ASSEMBLY-KPX1000A-1600V











Гарячі продукти
苏ICP备05018286号-1
Надіслати запит
*
*

Ми зв’яжемось з вами негайно

Заповніть додаткову інформацію, щоб швидше зв’язатися з вами швидше

Заява про конфіденційність: Ваша конфіденційність для нас дуже важлива. Наша компанія обіцяє не розголошувати свою особисту інформацію будь -якій перевищенні, не вистачаючи ваших явних дозволів.

Відправити