Будинок> Продукти> Напівпровідникові дискові пристрої (тип капсули)> Асиметричний тиристор> 60ma асиметричний тиристор VRRM 30V
60ma асиметричний тиристор VRRM 30V
60ma асиметричний тиристор VRRM 30V
60ma асиметричний тиристор VRRM 30V
60ma асиметричний тиристор VRRM 30V
60ma асиметричний тиристор VRRM 30V
60ma асиметричний тиристор VRRM 30V

60ma асиметричний тиристор VRRM 30V

$601-99 Piece/Pieces

$48≥100Piece/Pieces

Тип оплати:L/C,T/T,Paypal
Інкотерм:FOB,CFR,CIF
Хв. Замовлення:1 Piece/Pieces
Перевезення:Ocean,Air
Порт:SHANGHAI
Атрибути товару

Модель №.YZPST-A1237NC280

БрендYzpst

私域 A1237NC280 截取视频 15 秒 1-2,8м
私域 A1237NC280 截取视频 15 秒 2-4,83м
Опис продукту


Асиметричний тиристор

YZPST-A1237NC280

Асиметрична компанія тиристора 25В пройшла сертифікат системи якості ISO9001, а якість гарантується. Постояння для ваших потреб SCR.

Блокування - поза державою

VDRM (1)

VDSM (1)

VRRM (1)

VRSM(1)

2800

2800

30

30

V rrm = повторювана пікова зворотна напруга

v drm = повторювана пікова напруга вимкнено напругу

v rsm = не повторювана пікова пікова зворотна напруга

Примітки:

Усі рейтинги вказані для tj = 25 o c, якщо

не зазначено інше.

(1) Усі рейтинги напруги визначені для застосованої

синусоїдальної форми хвилі 50 Гц/60 ЗГц у

діапазоні температури від -40 до +125 O C.

(2) 10 мсек. Макс. Ширина імпульсу

(3) Максимальне значення для TJ = 125 o C.

(4) Мінімальне значення для лінійного та експоненціального

хвилі до 80% номіналу V DRM . Ворота відкриті.

TJ = 125 o C.

(5) Невідповідне значення.

(6) Значення DI/DT встановлюється відповідно

до стандарту EIA/NIMA RS-397, розділ

5-2-2-6. Визначене значення було б доповненням

до рівня, отриманого з ланцюга Snubber,

що включає конденсатор 0,2 МВ та

опір 20 Ом паралельно з тестуванням тестування

.

Repetitive peak reverse leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

 

10 mA

60 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

3000 V/msec

Проведення - на державі

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Average value of on-state current

IT(AV)M

 

1237

 

A

Sinewave,180o conduction,Tc=55oC

RMS value of on-state current

ITRMSM

 

2555

 

A

Nominal value

Peak one cycle surge

(non repetitive) current

 

ITSM

 

-

 

18

 

KA

 

KA

8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave-

shape, 180o conduction, Tj = 125 oC

I square t

I2t

 

1.62x103

 

KA2s

8.3 msec and 10.0 msec

Latching current

IL

 

-

 

mA

VD = 24 V; RL= 12 ohms

Holding current

IH

 

1000

 

mA

VD = 24 V; I = 2.5 A

Peak on-state voltage

VTM

 

2.1

 

V

ITM = 2000 A; Duty Cycle £ 0.01%; Tj =125 oC

Threshold vlotage

VT0

 

1.7

 

V

 

Slope resistance

rT

 

0.21

 

 

Critical rate of rise of on-state

current (5, 6)

di/dt

 

2000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V,

non-repetitive

Critical rate of rise of on-state

current (6)

di/dt

 

1000

 

A/ms

Switching from VDRM £ 1000 V




Обтягуючий

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Peak gate power dissipation

PGM

 

30

 

W

 

Average gate power dissipation

PG(AV)

 

10

 

W

 

Peak gate current

IGM

 

-

 

A

 

Gate current required to trigger all units

IGT

 

-

400

-

 

mA

mA

mA

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC

Gate voltage required to trigger all units

 

 

VGT

 

-

3.0

-

 

 

V

V

V

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC

VD = 10 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC

VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms;

Tj = + 125 oC

Peak negative voltage

VRGM

 

10

 

V

Динамічний

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Delay time

td

 

-

1

ms

ITM = 50 A; VD = Rated VDRM

Gate pulse: VG = 20 V; RG = 20 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms

Turn-off time (with VR = -50 V)

tq

 

-

20

ms

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V; Re-applied dV/dt = 20 V/ms linear to 80% VDRM; VG = 0;

Tj = 125 oC; Duty cycle ³ 0.01%

Reverse recovery charge

Qrr

 

-

-

mC

ITM = 1000 A; di/dt = 25 A/ms;

VR ³ -50 V

Теплові та механічні характеристики та рейтинги

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Typ.

Units

Conditions

Operating temperature

Tj

-40

+125

 

oC

 

Storage temperature

Tstg

-40

+150

 

oC

 

Thermal resistance - junction to case

RQ (j-c)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled

Single sided cooled

Thermal resistamce - case to heatsink

RQ (c-s)

 

-

-

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Thermal resistamce - junction to heatsink

RQ (j-s)

 

24

48

 

K/KW

Double sided cooled *

Single sided cooled *

Mounting force

P

19

26

 

kN

 

Weight

W

 

 

510

g

About




Гарячі продукти
苏ICP备05018286号-1
Надіслати запит
*
*

Ми зв’яжемось з вами негайно

Заповніть додаткову інформацію, щоб швидше зв’язатися з вами швидше

Заява про конфіденційність: Ваша конфіденційність для нас дуже важлива. Наша компанія обіцяє не розголошувати свою особисту інформацію будь -якій перевищенні, не вистачаючи ваших явних дозволів.

Відправити