$3650-499 Piece/Pieces
$32≥500Piece/Pieces
| Тип оплати: | L/C,T/T,Paypal |
| Інкотерм: | FOB,CFR,CIF |
| Перевезення: | Ocean,Land |
| Порт: | SHANGHAI |
Share:
Модель №.: YZPST-M2A016120L
Бренд: Yzpst
Place Of Origin: China
VDSmax: 1200V
VGSmax: -8/+22V
VGSop: -4/+18V
ID Tc=25℃: 115A
ID Tc=100℃: 76A
ID(pulse): 250A
PD: 582W
TJ, TSTG: -55 to +175℃
| Одиниці продажу | : | Piece/Pieces |
| Завантажити | : |
|
The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it
N-канал SIC Power Mosfet P/N: YZPST-M2A016120L SIC MOSFET
Особливості
Висока блокуюча напруга з низькою стійкістю
Високошвидкісне перемикання з низькою ємністю
Легко паралельно і простий у керуванні
Вигоди
Більш висока ефективність системи
Зменшені вимоги до охолодження
Збільшення щільності потужності
Збільшення частоти перемикання системи
Заявки
Відновлювана енергія
Зарядні пристрої для акумуляторів EV
Перетворювачі постійного струму/постійного струму високої напруги
Перемикач живлення живлення
Пакет
|
Part Number |
Package |
|
M2A016120L |
TO-247-4 |
Максимальні рейтинги (t c = 25 ℃ un менш вказано інакше)
| Symbol | Parameter | Value | Unit | Test Conditions | Note |
| VDSmax | Drain-Source Voltage | 1200 | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGSmax | Gate-Source Voltage | -8/+22 | V | Absolute maximum values | |
| VGSop | Gate-Source Voltage |
-4/+18 |
V | Recommended operational values | |
| ID | Continuous Drain Current | 115 | A | VGS=18V, Tc=25℃ | |
| 76 | VGS=18V, Tc=100℃ | ||||
| ID(pulse) | Pulsed Drain Current | 250 | A | Pulse width tp limited by TJmax | |
| PD | Power Dissipation | 582 | W | Tc=25℃, TJ=175℃ | |
| TJ, TSTG | Operating Junction and Storage Temperature | -55 to +175 | ℃ |
| Symbol | Parameter | Min. | Typ. | Max. | Unit | Test Conditions | Note |
| V(BR)DSS | Drain-Source Breakdown Voltage | 1200 | / | / | V | VGS=0V, ID=100μA | |
| VGS(th) | Gate Threshold Voltage | 1.9 | 2.6 | 4 | V | VDS=VGS, ID=23mA | |
| / | 1.8 | / | VDS=VGS, ID=23mA, TJ=175℃ | ||||
| IDSS | Zero Gate Voltage Drain Current | / | 1 | 100 | µA | VDS=1200V, VGS=0V | |
| IGSS+ | Gate-Source Leakage Current | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=22V | |
| IGSS- | Gate-Source Leakage Current | / | 10 | 250 | nA | VDS=0V, VGS=-8V | |
| RDS(on) | Drain-Source On-State Resistance | / | 16 | 21 | mΩ | VGS=18V, ID=75A | |
| / | 28 | / | VGS=18V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
| gfs | Transconductance | / | 40.5 | / | S | VDS=20V, ID=75A | |
| / | 37 | / | VDS=20V, ID=75A, TJ=175℃ | ||||
| Ciss | Input Capacitance | / | 4300 | / | VGS=0V | ||
| Coss | Output Capacitance | / | 236 | / | pF | VDS=1000V | |
| Crss | Reverse Transfer Capacitance | / | 35 | / | f=1MHz | ||
| Eoss | Coss Stored Energy | / | 136 | / | µJ | VAC=25mV | |
| EON | Turn-On Switching Energy | / | 2.1 | / | µJ | VDS=800V, VGS=-4V/18V | |
| EOFF | Turn-Off Switching Energy | / | 1.6 | / | ID=40A, RG(ext)=2.5Ω, L=100μH | ||
| td(on) | Turn-On Delay Time | / | 150 | / | |||
| tr | Rise Time | / | 38 | / | VDS=800V, VGS=-4V/18V, ID=40A RG(ext)=2.5Ω, RL=20Ω | ||
| td(off) | Turn-Off Delay Time | / | 108 | / | ns | ||
| tf | Fall Time | / | 35 | / | |||
| RG(int) | Internal Gate Resistance | / | 2.3 | / | Ω | f=1MHz, VAC=25mV | |
| QGS | Gate to Source Charge | / | 60 | / | VDS=800V | ||
| QGD | Gate to Drain Charge | / | 44 | / | nC | VGS=-4V/18V | |
| QG | Total Gate Charge | / | 242 | / | ID=40A |
Пакет Розміри
Тел: 86-514-87782298
Whatsapp: +86 13805278321
Адреса: 3rd Floor, Weiheng Building No.20 B Area, Yangzhou, Jiangsu China
Веб-сайт: https://uk.yzpst.com
Заява про конфіденційність: Ваша конфіденційність для нас дуже важлива. Наша компанія обіцяє не розголошувати свою особисту інформацію будь -якій перевищенні, не вистачаючи ваших явних дозволів.
Заповніть додаткову інформацію, щоб швидше зв’язатися з вами швидше
Заява про конфіденційність: Ваша конфіденційність для нас дуже важлива. Наша компанія обіцяє не розголошувати свою особисту інформацію будь -якій перевищенні, не вистачаючи ваших явних дозволів.
Contact Now