Будинок> Продукти> Напівпровідникові пристрої модуля> Модуль IGBT> Висока модуль потужності IGBT з високою смугою 650В 200a
Висока модуль потужності IGBT з високою смугою 650В 200a
Висока модуль потужності IGBT з високою смугою 650В 200a
Висока модуль потужності IGBT з високою смугою 650В 200a
Висока модуль потужності IGBT з високою смугою 650В 200a
Висока модуль потужності IGBT з високою смугою 650В 200a
Висока модуль потужності IGBT з високою смугою 650В 200a

Висока модуль потужності IGBT з високою смугою 650В 200a

$3310-99 Piece/Pieces

$25≥100Piece/Pieces

Тип оплати:L/C,Paypal
Інкотерм:FOB,CFR,CIF
Перевезення:Ocean,Land
Порт:SHANGHAI
Атрибути товару

Модель №.YZPST-SKM195GB066D

БрендYzpst

Place Of OriginChina

VCES650V

IC200A

ICRM400A

VGES±20V

Ptot695W

Упаковка та доставка
Одиниці продажу : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиелектростатична упаковка 2. Коробка коробки 3. Коси
Приклад рисунка :
Завантажити :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Модуль IGBT SKM195GB066D
Опис продукту

Тип модуля живлення IGBT: YZPST-SKM195GB066D

Заявки

Інвертор для моторного приводу

Підсилювач AC та DC Servo Drive

UPS (безперебійні джерела живлення)

М'яка комутаційна зварювальна машина

Особливості

Низький VCE (SAT) за допомогою технології траншеї

VCE (SAT) з позитивним коефіцієнтом температури

Включаючи швидке та м'яке відновлення антипаралельного FWD

Висока здатність до короткого замикання (10us)

Структура модуля низької індуктивності

Максимальна температура стику 175 ℃

IGBT

Абсолютний Максимум Рейтинг

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

650

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

200

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

400

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

695

W

Характеристики IGBT

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =3.2mA,Tvj=25 5.1 5.8 6.3 V
    VCE=650V,VGE=0V, Tvj=25     1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=650V,VGE=0V, Tvj=125     5 mA
Collector-Emitter   Ic=200A,VGE=15V, Tvj=25   1.45 1.95 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=200A,VGE=15V, Tvj=125   1.65   V
Input Capacitance Cies VCE=25V,VGE =0V,   12.3   nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25   0.37   nF
Internal Gate Resistance Rgint     1   Ω
Turn-on Delay Time td(on)     48   Ns
 
Rise Time tr IC =200 A   48   Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE =300 V   348   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   58   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 3.6Ω   2.32   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25   5.85   mJ
Turn-on Delay Time td(on)     48   Ns
 
 
Rise Time tr IC =200 A   48   Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 300V   364   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   102   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =3.6Ω   3.08   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125   7.92   mJ
SC Data Isc Tp≤10us,VGE=15V,Tvj=150 , Vcc=300V,VCEM≤650V   1000   A

Діодні характеристики

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Diode DC Forward Current IF Tc=100   200   A
Diode Peak Forward Current IFRM     400   A
    IF=200A,Tvj=25   1.55 1.95 V
Forward Voltage VF IF=200A,Tvj=125   1.5   V
Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Recovered Charge Qrr     8.05   uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us   148   A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25   1.94   mJ
Recovered Charge Qrr     16.9   uC
IF =200 A
VR=300V
Peak Reverse Recovery Current Irr -diF/dt =4200A/us   186   A
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125   3.75   mJ

Характеристики модуля T C = 25 ° C, якщо не вказано інше

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500     V
Maximum Junction Temperature Tjmax       150
Operating Junction Temperature Tvj op   -40   125
Storage Temperature Tstg   -40   125
    per IGBT-inverter     0.19 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter     0.31 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied   0.085   K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5   5 N · m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3   5 N · m
Weight of Module G     150   g

Пакет Розміри

YZPST-SKM195GB066D Package Dimensions

Гарячі продукти
Будинок> Продукти> Напівпровідникові пристрої модуля> Модуль IGBT> Висока модуль потужності IGBT з високою смугою 650В 200a
苏ICP备05018286号-1
Надіслати запит
*
*

Ми зв’яжемось з вами негайно

Заповніть додаткову інформацію, щоб швидше зв’язатися з вами швидше

Заява про конфіденційність: Ваша конфіденційність для нас дуже важлива. Наша компанія обіцяє не розголошувати свою особисту інформацію будь -якій перевищенні, не вистачаючи ваших явних дозволів.

Відправити