Будинок> Продукти> Напівпровідникові пристрої модуля> Модуль IGBT> YZPST 1200V 150B120F23 Модуль потужності IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Модуль потужності IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Модуль потужності IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Модуль потужності IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Модуль потужності IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Модуль потужності IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Модуль потужності IGBT
YZPST 1200V 150B120F23 Модуль потужності IGBT

YZPST 1200V 150B120F23 Модуль потужності IGBT

$31.510-99 Piece/Pieces

$23.5≥100Piece/Pieces

Тип оплати:L/C,T/T,Paypal
Інкотерм:FOB,CFR,CIF
Перевезення:Ocean,Land
Порт:SHANGHAI
Атрибути товару

Модель №.YZPST-150B120F23

БрендYzpst

Place Of OriginChina

VCES1200V

IC150A

ICRM300A

VGES±20V

Ptot968W

Упаковка та доставка
Одиниці продажу : Piece/Pieces
Тип упаковки : 1. Антиелектростатична упаковка 2. Коробка коробки 3. Коси
Завантажити :

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Модуль IGBT 1200V150A 150B120F23
Опис продукту
Модуль потужності IGBT YZPST-150B120F23
VCE = 1200V IC = 150A
Заявки
Інвертор для моторного приводу
Підсилювач AC та DC Servo Drive
UPS (безперебійні джерела живлення)
М'яка комутаційна зварювальна машина
Особливості
Низький VCE (SAT) за допомогою технології траншеї
VCE (SAT) з позитивним коефіцієнтом температури
Включаючи швидке та м'яке відновлення антипаралельного FWD
Висока здатність до короткого замикання (10us)
Структура модуля низької індуктивності

Максимальна температура стику 175 ℃

IGBT

Абсолютний Максимум Рейтинг

Parameter

Symbol

Conditions

Value

Unit

Collector-Emitter Voltage

VCES

VGE=0V, IC =1mA, Tvj=25

1200

V

Continuous Collector Current

IC

Tc=100

150

A

Peak Collector Current

ICRM

tp=1ms

300

A

Gate-Emitter Voltage

VGES

Tvj=25

±20

V

Total Power Dissipation

(IGBT-inverter)

Ptot

Tc=25

Tvjmax=175

968

W

Характеристики IGBT

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Gate-Emitter Threshold Voltage VGE(th) VGE=VCE,  IC =4mA,Tvj=25 5.2 6 6.8 V
    VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=25     1 mA
Collector-Emitter Cut-off Current ICES VCE=1200V,VGE=0V, Tvj=125     5 mA
Collector-Emitter   Ic=150A,VGE=15V, Tvj=25   1.8 2.1 V
Saturation Voltage VCE(sat) Ic=150A,VGE=15V, Tvj=125   2   V
Input Capacitance Cies     9.8   nF
Output Capacitance Coes VCE=25V,VGE =0V,   0.82   nF
Reverse Transfer Capacitance Cres f=1MHz, Tvj=25   0.48   nF
Internal Gate Resistance Rgint     2.5   Ω
Turn-on Delay Time td(on)     185   Ns
 
Rise Time tr IC =150 A   55   Ns
Turn-off Delay Ttime td(off) VCE = 600 V   360   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   115   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG = 5.1Ω   15.4   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=25   11.6   mJ
Turn-on Delay Time td(on)     200   Ns
 
 
Rise Time tr IC =150 A   60   Ns
Turn-off Delay Time td(off) VCE = 600 V   420   Ns
Fall Time tf VGE = ±15V   120   Ns
Energy Dissipation During Turn-on Time Eon RG =5.1Ω   23.2   mJ
Energy Dissipation During Turn-off Time Eoff Tvj=125   17   mJ
    Tp≤10us,VGE=15V,        
SC Data Isc Tvj=150,Vcc=600V, 500 A
    VCEM≤1200V    

Діодні характеристики

Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Diode DC Forward Current IF Tc=100   150   A
Diode Peak Forward Current IFRM     300   A
    IF=150A,Tvj=25   1.8 2.3 V
Forward Voltage VF IF=150A,Tvj=125   1.85   V
Parameter     Value Unit
Symbol Conditions Min. Typ. Max.  
Recovered Charge Qrr     13.4   uC
 
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V   143   A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us   160   ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=25   9.1   mJ
Recovered Charge Qrr     26.1   uC
 
IF =150 A
Peak Reverse Recovery Current Irr VR=600V   178   A
Reverse Recovery Time trr -diF/dt =2200A/us   440   ns
Reverse Recovery Energy Erec Tvj=125   15.4   mJ

Характеристики модуля t c = 25 ° C, якщо не вказано інше

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Min. Typ. Max.
Isolation voltage Visol t=1min,f=50Hz 2500     V
Maximum Junction Temperature Tjmax       150
Operating Junction Temperature Tvjop   -40   125
Storage Temperature Tstg   -40   125
    per IGBT-inverter     0.155 K/W
Junction-to Case R θjc per Diode-inverter     0.292 K/W
Case to Sink R θcs Conductive grease applied   0.05   K/W
Module ElectrodesTorque Mt Recommended(M5) 2.5   5 N·m
Module-to-SinkTorque Ms Recommended(M6) 3   5 N·m
Weight of Module G     150   g

Пакет Розміри

YZPST-150B120F23 Dimensions

Гарячі продукти
苏ICP备05018286号-1
Надіслати запит
*
*

Ми зв’яжемось з вами негайно

Заповніть додаткову інформацію, щоб швидше зв’язатися з вами швидше

Заява про конфіденційність: Ваша конфіденційність для нас дуже важлива. Наша компанія обіцяє не розголошувати свою особисту інформацію будь -якій перевищенні, не вистачаючи ваших явних дозволів.

Відправити