Kk2000a4000v управління фазовою потужністю тиристор 4000v

Kk2000a4000v управління фазовою потужністю тиристор 4000v

$268≥20Piece/Pieces

Тип оплати:	L/C,T/T,Paypal
Інкотерм:	FOB,CFR,CIF
Хв. Замовлення:	20 Piece/Pieces
Перевезення:	Ocean,Air
Порт:	Shanghai

Зв'язатися з нами

Опис продукту

Атрибути товару

Упаковка та доставка

Опис продукту

Атрибути товару

Модель №.: YZPST-KK2000A4000V

Бренд: Yzpst

Упаковка та доставка

Одиниці продажу	:	Piece/Pieces
Тип упаковки	:	1. Антиелектростатична упаковка 2. Коробка коробки 3. Пластикова захисна упаковка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Опис продукту

Тиристор високої потужності для фазових програм

YZPST-KK2000A4000V

Особливості:

. Вся розсіяна структура

. Інтердигітатна конфігурація посилення воріт

. Гарантований максимальний час відключення

. Висока можливість DV/DT

. Зібраний тиск пристрій

Електричні характеристики та рейтинги

Блок k ing - State

Device Type	VRRM (1)	VDRM (1)	VRSM (1)
KK2000A	4000	4000	4100

V rrm = R e p etiti v e p e a k зворотний v o lta g e

V DRM = R e p etiti v e p e a k o f f f state v o lta g e

V r s m = N o n r e p etiti v e p e a k зворотний v o lta g e (2 )

Repetitive peak reverse

leakage and off state leakage

IRRM / IDRM

20 mA

200 mA (3)

Critical rate of voltage rise

dV/dt (4)

1000 V/msec

Co n ducting - на s tate

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Average value of on-state current	IT(AV)		2000		A	Sinewave,180o conduction,Tc=70oC
RMS value of on-state current	ITRMS		3300		A	Nominal value
Peak one cPSTCle surge (non repetitive) current	ITSM		42000 39000		A A	8.3 msec (60Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC 10.0 msec (50Hz), sinusoidal wave- shape, 180o conduction, Tj = 125 oC
I square t	I2t		5.5x106		A2s	8.3 msec
Latching current	IL		1000		mA	VD = 24 V; RL= 12 ohms
Holding current	IH		500		mA	VD = 24 V; I = 2.5 A
Peak on-state voltage	VTM		2.60		V	ITM = 2000 A; Tj = 125 oC
Critical rate of rise of on-state current (5, 6)	di/dt		800		A/ms	Switching from VDRM £ 1000 V, non-repetitive
Critical rate of rise of on-state current (6)	di/dt		300		A/ms	Switching from VDRM £ 1000 V

G A Ting

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Peak gate power dissipation	PGM		200		W	tp = 40 us
Average gate power dissipation	PG(AV)		5		W
Peak gate current	IGM		20		A
Gate current required to trigger all units	IGT		300 200 125		mA mA mA	VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +25 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = +125oC
Gate voltage required to trigger all units	VGT	0.30	5 4		V V V	VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = -40 oC VD = 6 V;RL = 3 ohms;Tj = 0-125oC VD = Rated VDRM; RL = 1000 ohms; Tj = + 125 oC
Peak negative voltage	VGRM		20		V

D y na m ic

Parameter	Symbol	Min.	Max.		Typ.	Units	Conditions
Delay time	td			2.0		ms	ITM = 50 A; VD = 67% VDRM Gate pulse: VG = 30 V; RG = 10 ohms; tr = 0.1 ms; tp = 20 ms
Turn-off time (with VR = -5 V)	tq			100		ms	ITM > 2000 A; di/dt = 25 A/ms; VR ³ -5 V; Re-applied dV/dt = 400 V/ms linear to 67% VDRM ; Tj = 125 oC; Duty cPSTCle ³ 0.01%
Reverse recovery current	Irr		200			A	ITM > 2000 A; di/dt = 25 A/ms; VR ³ -50 V; Tj = 125 oC

Теплові та механічні характеристики та рейтинги

Parameter	Symbol	Min.	Max.	Typ.	Units	Conditions
Operating temperature	Tj	-40	+125		oC
Storage temperature	Tstg	-40	+150		oC
Thermal resistance - junction to case	RQ (j-c)		0.012		o C/W	Double sided cooled Single sided cooled
Thermal resistamce - case to sink	RQ (c-s)		0.002		o C/W	Double sided cooled * Single sided cooled *
Mounting force	P	8000 35.5	10000 44.4		lb. kN
Weight	W			3.5 1.60	Lb. Kg.

* M o un ti n g su r f a c es S m oo t h , f лат a n G r e a s ed

N o te : f o r c a s e o u tli n e a n d d i m e ns i o ns , s ee c a s e o u tli n e д -р а ш я н g у P a g e 3 o f t h є T e c hn ical Дані

A:	84	mm
B:	118	mm
C:	108	mm
E:	36	mm

Гарячі продукти

Ультрашаст -зворотне відновлення часу 700В 200a Fred Module

Зв'язатися з нами

Висока можливість короткого замикання 10US 1200V IGBT Модуль 450A

Зв'язатися з нами

Висока безпека анти-експлуатація демпфування конденсаторів 2kVDC 0,1UF

Зв'язатися з нами

Висока потужність приводить у рух тиристор управління потужністю 100a

Зв'язатися з нами

15 кВ 100 мА 2cl2fl діоди високої напруги

Зв'язатися з нами

Трик

Зв'язатися з нами

Високоякісний індукційний опалення 3 кВ

Зв'язатися з нами

1200 В стандартний діод

Зв'язатися з нами

C712L ТИРІСТОРНИЙ КОНТРОЛЕР КТ55КТ

Зв'язатися з нами

600 мА висока напруга 12 кВ HV діод Висока частота

Зв'язатися з нами

Будинок> Продукти> Напівпровідникові дискові пристрої (тип капсули)> Фазовий контроль тиристор> Kk2000a4000v управління фазовою потужністю тиристор 4000v

Зв'яжіться з нами

Mr. John chang

Залишити повідомлення

Зв'язатися з нами