Процес пасивації скла до-247 SCR 1200V

Name: SCR YZPST-40TPS12
Uploaded: 2024-12-09T06:06:44+08:00
Description: Процес пасивації скла до-247 SCR 1200V

$0.751000-9999 Piece/Pieces

$0.55≥10000Piece/Pieces

Тип оплати:	L/C,T/T,Paypal
Інкотерм:	FOB,CFR,CIF
Перевезення:	Ocean,Land,Air
Порт:	SHANGHAI

Option:

IT (RMS):40A
VDRM / VRRM:1200V
IGT:≤35mA
ITSM:460A
IGM:4A
PGM:5W

Зв'язатися з нами

Опис продукту

Атрибути товару

Модель №.: YZPST-40TPS12

Бренд: Yzpst

Place Of Origin: China

IT (RMS): 40A

VDRM / VRRM: 1200V

IGT: ≤35mA

ITSM: 460A

IGM: 4A

PGM: 5W

PG(AV): 1W

Упаковка та доставка

Одиниці продажу	:	Piece/Pieces
Тип упаковки	:	1. Антиелектростатична упаковка 2. Коробка коробки 3. Пластикова захисна упаковка
Приклад рисунка	:
Завантажити	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

SCR YZPST-40TPS12



Опис продукту

SCR YZPST-40TPS12

Особливості продукту

Процес пасивації скляного скла,

Задній (анод) електродний метал: ti-ni-ag

Позитивний (ворота, анод) електрода метал: al

Основні цілі

Перемикач змінного струму,

Перетворювач потужності AC DC,

Управління електричним нагріванням

Управління швидкістю двигуна

Пакет

До-247

MainFeature (TJ = 25 ℃)

Symbol	Value	Unit
IT (RMS)	40	A
VDRM / VRRM	1200	V
IGT	≤35	mA

Абсолютні ratings ( обмежувальні значення )

Symbol	Parameter	Value	Unit
IT (RMS)	RMS on-state current (180°conduction angle)	40	A
ITSM	Non repetitive surge peak on-state Current (tp= 10ms)	460	A
IGM	Peak gate current(tp=20us)	4	A
PGM	Peak gate power	5	W
PG(AV)	Average gate power	1	W
Tstg Tj	Storage temperature Operating junction temperature	-40--+ 150 -40--+ 125	℃

Термаї стійкість s

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rth (j-c)

Junction to case

TO-247

0.95

℃/W

Електронні характеристикиTj = 25 ℃, якщо не вказано інше

Symbol	Test Conditions		Value			Unit
Symbol	Test Conditions		Min	Type	Max	Unit
IGT	VD= 12V, RL=33 Ω		----	-----	35	mA
VGT	VD= 12V, RL=33 Ω		-----	-----	1.5	V
VGD	VD=VDRM, RL=3.3KΩ, RGK= 1KΩ,Tj=125℃		0.2	-----	-----	V
H	IT=500mA		-----	-----	75	mA
L	IG= 1.2IGT		-----	-----	150	mA
dV/dt	VD=67%VDRM, GateOpen, Tj=110℃		1000	-----	-----	v/ μs
VTM	IT=80A,tp=380 μs		-----	-----	1.6	V
dI/dt	IG=2IGT		50	-----	-----	A/ μs
I2T	Tp= 10ms		-----	-----	1060	A2 S
IDRM	VD=VDRM	Tj=25℃	-----	-----	10	μA
IDRM	VD=VDRM	Tj=125℃	-----	-----	4	mA
VRRM	VR=VRRM	Tj=25℃	-----	-----	10	μA
VRRM	VR=VRRM	Tj=125℃	-----	-----	4	mA