Технологія 600 В траншеї IGBT 6A

$0.33100-999 Piece/Pieces

$0.28≥1000Piece/Pieces

Зв'язатися з нами

Опис продукту

Атрибути товару

Модель №.: YZPST-6H60CX1G3

Бренд: Yzpst

Place Of Origin: China

Назва продукту: High Speed Switching 600v 15a Igbt To-220f

VCES: 600v

VGES: ±20v

IC: 12a

ICM: 6a

IF: 18a

TJ: -40 To +175℃

Упаковка та доставка

Одиниці продажу	:	Piece/Pieces
Тип упаковки	:	1. Антиелектростатична упаковка 2. Коробка коробки 3. Пластикова захисна упаковка
Завантажити	:

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Опис продукту

Тренч-технологія IGBT IGBT

YZPST-6H60CX1G3

Особливості

600 В, 6A

V ce (сб) (тип.) =1.75v@v ge = 15V, I c = 6a

Низький q g

Максимальна температура стику 175 ℃

Пільгове покриття без PB; РОГ Сумісний

Сонячні перетворювачі

Безперебійна потужність Постачання

Зварювання Перетворювачі

Частота комутації середньої та високої діапазону Перетворювачі

Order codes	VCE	IC	VCEsat, Tvj=25℃	Tvjmax	Marking	Package
60H060CX1R3	650V	6A	1.75V	175℃	6H60CX1R3	TO263-2L
60H060CX1G3	650V	6A	1.75V	175℃	6H60CX1G3	TO252-2L

Symbol	Parameter	Value	Unit
VCES	Collector-Emitter Voltage	600	V
VGES	Gate-Emitter Voltage	±20	V
IC	Continuous Collector Current (TC=25℃)	12	A
IC	Continuous Collector Current (TC=100℃)	6	A
ICM	Pulsed Collector Current (Note 1)	18	A
PD	Maximum Power Dissipation (TC=25℃)	89	W
PD	Maximum Power Dissipation (TC=100℃)	44	W
TJ	Operating Junction Temperature Range	-40 to 175	℃
TSTG	Storage Temperature Range	-55 to 150	℃