Температура управління постійним струмом модуля тиристора

Температура управління постійним струмом модуля тиристора

Get Latest Price

Тип оплати:	L/C,T/T,Paypal
Інкотерм:	FOB,CFR,CIF
Перевезення:	Ocean,Air
Порт:	SHANGHAI

Зв'язатися з нами

Опис продукту

Атрибути товару

Упаковка та доставка

Опис продукту

Атрибути товару

Модель №.: YZPST-MTC250A1600V-1

Бренд: Yzpst

Упаковка та доставка

Тип упаковки

1. Антиелектростатична упаковка 2. Коробка коробки 3. Пластикова захисна упаковка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Опис продукту

Подвійний тиристорний модуль

YZPST-MTC250A1600V-1

Модуль обробляється відповідно до потреб клієнтів. Він може бути використаний для управління температурою, управління двигуном постійного струму та м’яких стартерів двигуна змінного струму. Модуль все ще має багато особливостей, таких як посилююча ворота в тиристорі, контакти з дорогоцінним тиском металу для високої надійності та останній, але не в останню чергу передача тепла через алюмінієву нітридну керамічну ізольовану металеву основу.

Подвійні тиристор

ОСОБЛИВОСТІ • Теплопередача через алюмінієву нітридну керамічну ізольовану металеву панель • Контакти тиску дорогоцінного металу для високої надійності

• Тиристор із посиленням воріт

Тип: MTC250A-1600V Типові програми • Контроль двигуна постійного струму • М'які стартери мотора змінного струму • Контроль температури • Професійне затемнення світла

Максимальні рейтинги

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_T(AV)	Single phase,half wave,85° conduction	250	A
I_TRMS	Single phase,half wave,35° conduction	566	A
I_TSM	T_j=125℃	8000	A
I²t	T_j=125℃	320	kA²S
V_DRM/V_RRM		1800/1800	V
di/dt	non-repetitive	250	A/us
V_iso	A.C.1minute	3000	V
T_j		-40 ~ + 125	℃
T_stg		-40 ~ + 125	℃
W		-	g

Електричні характеристики

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_DRM /I_RRM	AtV_DRM,Single phase,half wave,T_j=125℃	85	mA
V_TM	On-State Current 750A,T_j=25℃	1.4	V
V_T(TO)	T_j=125℃	0.925	V
t_gd	T_j=25℃	1	us
t_q	T_j=125℃	50-150	us
I_GT/V_GT	T_j=25℃	200 / 3	mA/V
V_GD	V_D=67%V_DRM , T_j=125℃	0.25	V
DV/DT	V_D=67%V_DRM	1000	V/us
I_H	T_j=25℃	150	mA
I_L	T_j=25℃	300	mA
R_th(j-c)	Per Module	0.07	K/W