Фабричні напівпровідникові модулі 1000a 1600V

Get Latest Price

Зв'язатися з нами

Опис продукту

Атрибути товару

Модель №.: YZPST-MTC1000A1600V

Бренд: Yzpst

Упаковка та доставка

Тип упаковки

1. Антиелектростатична упаковка 2. Коробка коробки 3. Пластикова захисна упаковка

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

Опис продукту

Подвійні тиристорні модулі

YZPST-MTC1000A1600V

Фабричні напівпровідникові модулі 1000a 1600V

Особливості • Передача тепла через алюмінієву нітриду кераміку ізольована металева панель

• Контакти тиску дорогоцінного металу для високої надійності • Тиристор з посиленням воріт

Тип: MTC1000A - 1600 В Типові програми • Контроль двигуна постійного струму • Контроль температури • Професійне затемнення світла

Максимальні рейтинги

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_T(AV)	Single phase,half wave,sin 180° conduction ;T_C=85°C	1000	A
I_TRMS	Single phase,half wave,sin 180° conduction ;T_C=85°C	1484	A
I_TSM	T_j=125°C	30	kA
I²t	T_j=125°C	4300	kA²S
V_DRM/V_RRM	T_j=125°C	1600/1600	V
di/dt	non-repetitive	100	A/us
V_iso	A.C.1minute	2500	V
T_j		-40 ~ + 125	°C
T_stg		-40 ~ + 125	°C
W	About	3.6	Kg

Електричні характеристики

Symbol	Condition	Ratings	Unit
I_DRM /I_RRM	AtV_DRM,Single phase,half wave,T_j=125°C	100	mA
V_TM	On-State Current 3000A,T_j=125°C	1.55	V
V_T(TO)	T_j=125°C	0.8	V
r_T	T_j=125°C	0.09	mΩ
R_K1G1		-	Ω
R_K2G2		-	Ω
t_gd	T_j=25°C;V_D=0.4V_DRM; I_TM=I_TAV	-	us
t_q	dv_D/dt=50V/us;T_j=125°C; I_TM=I_TAV	-	us
I_GT/V_GT	T_j=25°C,I_T=1A,V_D=6V	200 / 3.0	mA/V
V_GD	V_D=67%V_DRM	0.2	V
DV/DT	V_D=67%V_DRM	800	V/us
I_H	T_j=25°C	300	mA
I_L	T_j=25°C	800	mA
R_th(j-c)	Thermal resistance Junction to case	0.31	°C/kW
R_th(c-h)	Thermal resistance case to heatsink	0.20	°C/kW