ROHS, що відповідає тиристору 160A

160a 1600V

Модуль тиристора

ROHS сумісна

YZPST-MCO150-16I01

Особливості продукту

Базова табличка: мідь

Скляна пасивація тиристора чіпів

Низький струм витоку

Внутрішньо DBC ізольований

Вдосконалена велосипедна їзда

Заявки

Управління двигуном змінного струму

Контроль температури

Управління потужністю змінного струму

Освітлення та контроль температури

A bs o l u te m a x i m u m r a t i ng s ( tc = 25 ° C, якщо не вказано інше)

Symbol	Parameter	Test Conditions	Values	Unit
VRRM	Maximum Repetitive Reverse Voltage	Tvj=125℃	1600	V
VDRM	Maximum repetitive peak off-state voltage
VRSM	Non-Repetitive Reverse Voltage	Tvj=125℃	1700	V
VDSM	Non-repetitive peak off-state voltage
IRRM	Maximum Repetitive Reverse Current	Tvj=125℃	8	A
IDRM	Maximum repetitive peak off-state Current
IT(AV)	Mean On-state Current	TC=85℃	160
IT(RMS)	RMS Current	TC=85℃, sin180°	251	A
ITSM	Non Repetitive Surge Peak On-state Current	10ms, Tj=25℃	2300
I2t	For Fusing	10ms, Tj=25℃	125	A2S
VTM	Peak on-state voltage	ITM=160A	1.4	V
		ITM=480A	1.8
dv/dt	critical rate of rise of off-state voltage	VD =2/3VDRM   Gate Open Tj=125℃	1000	V/us
IGT	gate trigger current     max.		100	A
VGT	gate trigger voltage     max.		1.3	V
IH	gate trigger current		220	A
IL	latching current		350	A
Viso	AC   50Hz   RMS    1min		2500	V
TJ	Junction Temperature		-40 to +125	℃
TSTG	Storage Temperature Range		-40 to +125
RthJC	Junction to Case Thermal Resistance(Per thyristor chip )		0. 13	℃ /W
mounting torque	Module to Sink		1. 1-1.5	Nm
	Terminal		1. 1-1.5

O utlines